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以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的脱手身分和紧迫保证。记者从中国科学院微电子接头所获悉，我国在天外成效考据了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。 据中国科学院微电子接头所刘新宇接头员先容，功率器件是达成电能变换和截止的中枢，被誉为“电力电子系统的腹黑”，是最为基础、诳骗最为平庸的器件之一。 跟着硅基功率器件的性能靠拢极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其私有上风可自豪空间电源系统高能效、微型化、轻量化需求